兆易创新首款DRAM芯片最晚2025年量产

中关村在线消息：近日，兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中，透露了其具体规划，按计划兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证，最晚将于2025年量产。

兆易创新表示，公司拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

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（编辑：广西网）

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