源于美国，兴于日韩，未来看中国！揭秘存储行业60年兴衰

在过往历史中，中国台湾也与韩国同时期发力 DRAM 产业 产业 ，最终发展三十 多年来却成效不大 ，值得中国企业引以为戒 。产业认为一方面原因在于台湾政府对DRAM 产业支持力度有限，缺乏产业主导能力，导致台湾 DRAM 产业始终小而散，无法建立起足够的竞争优势，失去了宝贵的时机。另一方面，由于半导体产业门槛高、周期强，只有拥有强大融资能力及产业定力的企业，在产业低谷时才能抵御亏损的压力，而在平常时候，又需要持续高强度的资本支出保持技术及规模优势，而小而散的企业，往往抵御风险能力不强，投资资本强度也不够，从而一直处于被动和落后的状态。

纵观、 美国、 日本 、韩国与中国台湾半导体 发展史 ， 可以有几点经验分享与探讨。

1 、 半导体行业， 具有一定程度的后发优势 ，核心设备的迭代至关重要 。由于半导体工艺、设备及材料进步非常快，而新玩家进入半导体行业时，没有历史资产及折旧包袱，并有机会用新设备及新材料，从而达到更好的产出率及更高的产品良率，故有一定的“后发优势”。从日、美、韩的经验显现，中国半导体产业希望实现反超，离不开关键设备的迭代能力，但若希望基业长青，设备自主创新能力就至关重要。

2、半导体产 业 ， 初期成长，需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌 终端予以支持。日本、韩国能实现后发而先至，在成长初期，都基于已经拥有较好的电子中游制造能力及品牌终端需求支持，两者缺一不可，这也是为什么除德国以外，其他国家始终没有较大的 DRAM 厂商进入历史舞台。而中国目前迎来了较好的时机，也即是中国强大的电子中游制造能力及本土品牌终端的崛起，给予中国半导体产业良好的成长土壤。

3、 半导体产业，需要人才，需要资金，更需要产业定力。从日本、韩国等 DRAM发展历史经验显示，举国体制、单点突破及以点带面是发展半导体产业的有效方式。当前的半导体产业需要数以千亿计的资本实力、以数十年计的产业定力，才能形成合力并坚持到产业的黎明。而从中国台湾 DRAM 厂经验中了解，若没有此时此地的鱼死网破及孤注一掷，也很难看到彼时彼地的美好未来与锦绣明天，一旦选择开始，则必须全力以赴，没有退路。

四、FLASH：新一代存储主力

闪存(Flash) 是属于内存器件的一种，其具有非易失性（ Non-Volatile ）。在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

闪存是一种电压控制型器件，其存储单元类似 MOSFET(金属-氧化物半导体场效应管)的三端器件，有源极、漏极和栅极。而其在栅极与硅衬底之间有额外一层栅极，用以存储电荷，名称为“浮置栅极”其外部包裹二氧化硅绝缘层，因此电荷不会泄漏，所以闪存具有记忆能力。

NAND FLASH 和 NOR FLASH 是闪存的两大主要产品。NAND 擦和写均是基于隧穿效应，电子穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）；NOR 在擦除数据时也基于隧穿效应，但在写入时采用热电子注入方式。这一不同点也驱动 NOR 的工作功耗高于 NAND。

（编辑：广西网）

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