源于美国，兴于日韩，未来看中国！揭秘存储行业60年兴衰

NAND FLASH 写入速度方便，而 NOR FLASH 读取速度快。FLASH 器件在写入操作前必须先执行擦除，NAND 擦除操作简便，而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写入数据，然后才能做擦除，因此 NAND 写入速度比 NOR 快很多。

NOR FLASH 应用简便。NOR 带有通用的 SRAM 接口，可轻松挂接在 CPU 地址、数据总线上，应用程序可以直接在闪存内执行。而 NAND 则使用复杂的 I/O口来串行读取数据。另外，由于 NAND 共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出。

▲2019 年 FLASH 在存储市场规模及占比

FLASH MEMORY 市场规模整体约 460 亿~480 亿美元， 占总体存储市场规模约 26% ，位列数字存储市场规模第三。其中 NAND FLASH 约为 440 亿美元，Nor FLASH 约为 20 亿美元。

NAND FLASH 市场规模整体呈现上升趋势。NAND 技术不断进步，2D NAND向 3D NAND 转变， 3D NAND 堆叠层数提升，存储容量增长。随着消费类产品如智能手机以及企业 SSD 需求的增长，NAND 市场规模呈现上升趋势。

NAND FLASH 市场集中度较高。2019 年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel 主导的 NAND FLASH 市场格局，分占市场份额的 33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和 9.5%，行业 CR4 达 80.2%。

▲2010-2020 年 NAND 市场规模

▲2001-2019 年 NAND 市场竞争格局趋势

尽管 NOR FLASH 写入和擦除速度较慢，但读取速度较快。初期电脑、笔记本以及功能手机等均应用 NOR Flash 产品，主要需求在于系统底层程序读取，而对写入和擦除要求不高，因此在功能手机时代，NOR FLASH 风靡一时。2005-2016 年智能手机快速崛起，NAND FLASH 的高密度存储优势逐渐显现，大规模替代 NOR FLASH。2016 年 NOR FLASH 市场规模跌入谷底。

（编辑：广西网）

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